Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
The possibilities of simultaneous use of several frequency scans for parametric identification of models of capacitance relaxation processes of a barrier semiconductor structure are discussed.

Ключевые слова:
deep-level transient spectroscopy (DLTS), frequency scan, multiskan
Текст
Текст произведения (PDF): Читать Скачать
Список литературы

1. Крылов, В.П. Комплексное моделирование физических процессов и аппаратных преобразований в релаксационной спектроскопии глубоких уровней / Крылов В.П., Богачев А.М., Пронин Т.Ю., Мищенко А.А. // Сборник научных трудов I Международной научно-практической конференции «САПР и моделирование в современной электронике» 22-23 ноября 2017 г. / под ред. Л.А. Потапова, А.Ю. Дракина. - Брянск: БГТУ, 2017. - С. 9 - 11.

2. Литвинов, В.Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней и ее применение для исследования полупроводниковых структур микро- и наноэлектроники / Литвинов В.Г., Гудзев В.В., Милованова О.А., Рыбин Н.Б. // Датчики и системы. - 2009. - №9. - С. 71 - 78.

3. Крылов, В.П. Корреляционная обработка и моделирование процессов релаксации емкости микроэлектронных барьерных структур / Крылов В.П., Богачев А.М., Мищенко А.А., Пронин Т.Ю. // V Международная научно-техническая конференция студентов, молодых ученых и специалистов "Энергосбережение и эффективность в технических системах", г. Тамбов 4-6 июня 2018 г. - Тамбов: ТГТУ. - С.136 - 137.

Войти или Создать
* Забыли пароль?