МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА ШОТТКИ
Авторы:
1.
Брянский государственный технический университет
( кафедра "Автоматизированные технологические системы"
, доцент
)
Брянск , Брянская область , Россия
Брянск , Брянская область , Россия
2.
Брянский государственный технический университет
сотрудник
Брянск , Брянская область , Россия
сотрудник
Брянск , Брянская область , Россия
Тип:
Статья конференции
Опубликовано:
29.12.2021
Классификаторы:
УДК 62 Инженерное дело. Техника в целом. Транспорт
ББК 3285 Электроника
ББК 3285 Электроника
Язык материала:
русский
Ключевые слова:
диод Шоттки, кремний, моделирование
Аннотация (русский):
Представлены результаты моделирования высоковольтного кремниевого диода Шоттки в приборно-технологической САПР Synopsys Sentaurus TCAD.
Представлены результаты моделирования высоковольтного кремниевого диода Шоттки в приборно-технологической САПР Synopsys Sentaurus TCAD.
Ключевые слова:
диод Шоттки, кремний, моделирование
диод Шоттки, кремний, моделирование
1. Singh R., Baliga B.J. Cryogenic Operation of Silicon Power Devices. US: Springer, 1998. 166 pp.